大约三百万美金就这样很快用掉了，一百万美金的芯片测试机器，约一百万美金的eda软件，一百万美金的芯片流片费用，
真是太烧钱了！！！
难道就不能节省一点？例如在eda软件上…
对于购买芯片测试机器，芯片流片费用，可能有人表示理解，
但是，eda软件为什么就这么贵也要花费那么多钱？只是在电脑运行一款软件而已!很多人也许不理解吧！
因为eda软件在电子电路设计是非常重要的，通过eda软件在电脑进行电子电路设计，极大地缩短设计工期，提高效率，防止设计错误，
特别是芯片集成电路上，数千万或者数亿级晶体管电路上…，
对已经设计出电子电路，可以在电脑上进行仿真，提前预估电子电路的功能，进而可以修改，以达到电子电路设计时制定的目标，
…
另外，eda软件已经被国外巨头瓜分，synosys、ce、ntor，基本占据各大芯片设计公司和芯片制造工厂，形成了一种垄断！
eda软件分为三种工作模式：芯片设计模式，cb电路板设计模式，仿真模式，
且这三种软件模式基本上是独立分开的，在价格上芯片设计是最贵的，仿真软件次之，cb板级软件算便宜的，
在华夏国，cb板级软件安装在每一台电脑的价格最便宜的精简版为1万美金，最贵的商用版本为6万美金，
而李飞只是在两台电脑上，安装eda软件商用版本，三种软件工作模式，作为芯片设计公司是必须花钱购买，真是节省不了！！！
当然，eda软件也是李飞的芯片产业计划之一！
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好在钱汇入对方公司后，就立即发货（eda软件是序列号），这样就能提前让f芯片量产，提前变现。
不过，芯片制造就没有那么快发货，
把芯片制造资料发给台极电后，需要一番检查，例如芯片制造材料和制造工艺上，以及芯片设计…，
大约三天后，台极电邮件回复，告知芯片的设计不符合台极电主流工艺，原因是f芯片是模拟电路，应该采用双极ttl晶体管工艺，数字电路一般用s工艺，
为了提高f芯片的量产生产力，建议采用成熟的双极ttl晶体管工艺。
如贵公司继续坚持f芯片采用s工艺，那么，芯片的流片时间可能需要延后，
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看着台极电发过来的邮件，李飞呵呵一笑，
台极电是在拖延时间，制造工艺只不过这是拖延时间的理由而已，
因为台极电的客户太多了，优先满足制造国际芯片设计巨头，例如高通，飞思卡尔，ti，索尼等国际芯片设计巨头，
对于刚刚建立的大深市芯片产业公司，在台极电眼里几乎是不能再小的芯片设计公司，在芯片制造产能上，绝对延后再延后，
甚至是芯片正在生产过程中，一旦芯片设计巨头下了生产订单，就马上下线，优先供应制造芯片设计巨头公司。
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李飞这样确定，是因为os工艺已经非常成熟了，
在1963年os工艺已经出现，只不过早期的os器件性能也较差，但由于os器件的功耗极低，集成度也高，用以制造数字lsi和vlsi集成电路可很好地解决最迫切的功耗问题，
于是，在数字lsi和vlsi集成电路的制造中首先得到广泛应用，并得到快速发展，特别是自20世纪80年代以来，更成为cu、ra、ro等vlsi的主导制造工艺，在电脑芯片工艺应用上十分广泛。
由于os工艺具有电流小，抗干扰能力强，集成度高等一系列的优点，
各大芯片设计巨头公司开始在模拟芯片电路进行os工艺研究设计…，
而李飞利用重生前的芯片技术积累，用os工艺制造f芯片，可以说在f芯片市场上是非常先进的芯片工艺技术了！
那么，如果f芯片使用双极ttl晶体管工艺，在市场上没有优势了！最重要的是f芯片后续应用于汽车和手机，可能就没有技术优势了，因为汽车和手机的电磁干扰非常大，
于是，李飞亲自打电话给台极电专业负责客服工程电话，客气地说道：“你好，我是大深市芯片产业的工程师李飞，关于贵司的邮件告知我司的芯片流片还需要延迟，到底是什么原因？”
对方态度不友善地说道：“哦，你f芯片工艺要求是s，可是目前f芯片主流可是双极ttl，”
李飞压住心中怒气，平和道：“现在芯片工艺主流是s…，”
没等李飞把话说完，对方打断了，并轻蔑地说：“你们内地人不懂，芯片是高科技产品，和你说不清，简单地说，你的f芯片采用os工艺，是比较复杂，在芯片制造上工序比较多，所以，芯片流片时间需要延缓…”
李飞乐呵一笑，在本人面前谈论芯片制造工艺，你还嫩了一点，重生前，本人在英特尔是副总裁，负责英特尔的芯片设计和芯片制造，
同时，李飞从内心上，认为不必和这人一般见识，不必再继续说下去…，
但为了f芯片早点量产，早点让f芯片进入市场变现，李飞不得不展示芯片研发实力，给一点颜色看看，让对方知道什么是研发技术大神。但没有必要再客气了，就命令道：“你不要打断我说话！如我说得没有错的话，os工艺流程大概是这样的：
先是准备n型硅片，用以制造nos和os晶体管。（注：os工艺是在os和nos工艺基础上发展起来的）
再使用湿氧化方法，在硅片上生长设定厚度（如约06微米）的二氧化硅层，作为制造型区的掩蔽层。随后光刻型区。
接着，光刻出nos晶体管的阱区和os晶体管的源、漏区后，使用氮化硼片作掺杂源进行硼预淀积。
在淀积硼以后，进行杂质推进扩散，形成nos晶体管的阱，在推进扩散的同时，也进行干氧化，接着进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层作为光刻n型区的掩蔽层。
如光刻出n型掺杂区，然后进行磷掺杂扩散，形成nos晶体管的源、漏区；
在磷扩散以后，进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层用以制造nos和os栅氧化区的的掩蔽层；
光刻出nos和os晶体管的栅区，然后使用干氧化方法，生成设定厚度的栅二氧化硅层（如500纳米制程），”